mGFET-4D   for Sensing applications

mGFET-4D (4 mm x 4 mm)

Realizzato in camera bianca ISO 7, il chip mGFET 4x4 è progettato per applicazioni di sensoristica ed è compatibile con misurazioni in un mezzo liquido. I contatti metallici sono passivati ​​per evitare il degrado e ridurre le correnti di dispersione. Include anche un elettrodo non incapsulato al centro del chip, che consente il gating del liquido senza la necessità di un elettrodo di gate esterno (come le sonde Ag/AgCl). Questa architettura del dispositivo migliora il rapporto segnale-rumore e riduce le fonti parassite.
Questa versione fornisce 28 canali di grafene: 7 di questi sono dispositivi a un canale e 7 sono dispositivi a tre canali. Queste due geometrie aggiungono flessibilità allo schema di misurazione (ΔVD o ΔIsd). Il die è confezionato e inserito in un porta chip senza piombo (LCC) ed è completamente compatibile con la scheda di pilotaggio.

GFET-S10  for Sensing applications

mGFET BOARD interfaccia il microdispositivo al grafene e l'apparecchiatura elettrica utilizzata per la sua lettura. Questa scheda è un circuito stampato (PCB) con uno zoccolo nel quale inserire un portachip leadless (LCC), collegato a una serie di interruttori che si collegano ai connettori BNC di ingresso/uscita. Queste strutture sono duplicate, consentendo test paralleli o multiplex. Il PCB è completamente compatibile con la serie mGFET 4x4. Gli interruttori delle sorgenti individuali consentono di scegliere un singolo canale o di combinarne più contemporaneamente. I 3 interruttori globali di sicurezza per source, drain e gate consentono di isolare elettricamente la scheda per sostituire l'mGFET dopo una misura in modo rapido e sicuro

GFET-S10  for Sensing applications

GFET-S10 (dimensioni del chip 10 mm x 10 mm) - Elaborato in camera bianca classe 1000

Il chip GFET-S10 fornisce 36 dispositivi di grafene distribuiti in forma di griglia sul chip.
Trenta dispositivi hanno una geometria Hall-bar e sei hanno una geometria a 2 sonde.
I dispositivi Hall-bar possono essere utilizzati per misurazioni Hall-bar nonché dispositivi a 4 e 2 sonde. Esistono diverse dimensioni del canale del grafene per consentire lo studio della dipendenza della geometria dalle proprietà del dispositivo.
La nuova versione sostituisce i contatti Ni/Al con Cr/Au, che sono più inerti e stabili.

GFET-S11 GFET-S11 for Sensing applications

GFET-S11 (dimensioni chip 10 mm x 10 mm) - Elaborato in camera bianca classe 1000

Il chip GFET-S11 fornisce 31 dispositivi in grafene con una geometria van der Pauw (vdP), distribuiti in 3 diverse dimensioni.
3 vdP hanno un'area di 2x2mm², 14 vdP hanno un'area di 500x500µm² e 14 vdP hanno un'area di 125x125µm².
Questi dispositivi hanno una geometria ottimizzata per misurazioni a 4 sonde in una configurazione vdP. Queste dimensioni variabili del dispositivo in grafene consentono di studiare la dipendenza della geometria dalle proprietà del dispositivo, consentendo un'ottimizzazione immediata.

GFET-S12  for Sensing applications

GFET-S12 (dimensioni chip 10 mm x 10 mm) - Elaborato in camera bianca classe 1000
Il chip GFET-S12 di Graphenea fornisce 27 dispositivi in grafene distribuiti in uno schema a griglia sul chip. I dispositivi hanno contatti interdigitati sulla parte superiore del canale del grafene, che sono ottimali per il rilevamento di gas e composti volatili.
Tutti i dispositivi hanno la stessa lunghezza del canale (1 mm), ma 3 diverse larghezze (50 µm, 100 µm e 200 µm). I contatti interdigitati hanno 3 differenti spazi (8µm, 15µm e 25µm). Queste diverse dimensioni del canale del grafene consentono di analizzare la dipendenza della geometria dalle proprietà del dispositivo, consentendo l'ottimizzazione immediata del dispositivo.

GFET-S20  for Sensing applications

GFET-S10 (dimensioni stampo 10 mm x 10 mm) - Elaborato in camera bianca classe 1000

Il chip GFET S-20  è progettato per misurazioni su terreno liquido. La nuova versione fornisce 12 dispositivi di grafene, con incapsulamento su cuscinetti metallici per evitare il degrado e ridurre le correnti di dispersione, e undei probe pads situati vicino alla periferia del chip. Include anche un elettrodo non incapsulato al centro del chip.

GFET-S22  for Sensing applications

GFET-S22 (dimensioni stampo 10 mm x 10 mm)

Elaborato in camera bianca classe 1000. Il chip GFET S-22 di Graphenea è progettato per misurazioni in mezzo liquido.
La nuova versione fornisce 4 set indipendenti di dispositivi in grafene, ciascuno con 3 canali individuali, con incapsulamento sui pad metallici per evitare il degrado e ridurre le correnti di dispersione; gli elettrodi della sonda si trovano vicino alla periferia del chip.
Include anche un elettrodo non incapsulato al centro del chip, che consente il gate del liquido senza la necessità di un elettrodo di gate esterno (come le sonde Ag / AgCl).
Questa architettura del dispositivo consente di modificare singolarmente ciascuno dei set di dispositivi, per ottenere una misura multiplexata.

GFAB - Graphene Foundry Services (cod GSfab)

Offriamo "Graphene Foundry Services" su wafer fino a 6 '' con design personalizzato. Ciò consente la prototipazione rapida dei dispositivi e accelera lo sviluppo verso l'applicazione.